数码管动态显示

2025-04-07 21:27:29

　　早期，由于锗晶体较易获得，主要研制应用的是锗晶体三极管。硅晶体出现后，由于硅管生产工艺很高效，锗管逐渐被淘汰。

　　发射区高掺杂：为了便于发射结发射电子，发射区半导体掺浓度高于基区的掺杂浓度，且发射结的面积较小；

　　集电结面积大：集电区与发射区为同一性质的掺杂半导体，但集电区的掺杂浓度要低数码管动态显示，面积要大，便于收集电子。

　　工艺结㊣构在半导体产业相当重要，PN结不同材料㊣成份□□□□、尺寸□□□、排布□□□、掺杂浓度和几何结构，能制成各样各样的元件，包括IC。

　　UBER是三极管启动的临界电压，它会受集射极电压大小的影响，正常工作时，NPN硅管启动电压约为0.6V；

　　当IB很大时，IC变得很大，不能继续随IB的增大而增大，三极管失去放大功能，表现为开关导通。

　　β值随集电极电流IC的变化而变化，IC为mA级别时β值较小。一般地，小功率管的放大倍数比大功率管的大。

　　ICEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度㊣关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICE㊣O将增加一倍。

　　温度上升，β□□□、IC将增大，UCE将下降，在电路设计时应考虑采取相应的措施，如远离热源□□□、散热等，克服温度对三✅极✅管性能的㊣影响。

　　三极管设计额定功率越大，其体积就越㊣㊣大，又由于封装技术的不断更新发展，所以三极管有多种多样的封装形式。

　　规律一：对中大功率三极管，集电极明显较粗大甚至以大面积金属电极相连，多处于基极和发射极之间；

　　集/射极间电压UCE㊣UBVCEO时，三极管产生很大的集电极电流击穿，造成永久性损坏。

　　随着工作频率的升高，三极管的放大能力将会下降，对应于β=1 时的频率？T叫作三极管的特征频率。